Selon la presse sud-coréenne, Samsung graverait chez TSMC, son concurrent, une pièce clé des futures mémoires sur mesure de Nvidia. Une première entre les deux rivaux. Aucune des trois entreprises ne l’a confirmé.

Dimanche 18 octobre, une information venue de Séoul intrigue toute l’industrie des puces. Selon le Seoul Economic Daily, qui cite des sources industrielles anonymes, Samsung fabriquerait la « base die » des futures mémoires HBM sur mesure de Nvidia avec la gravure 3 nanomètres de TSMC. Reuters a repris l’information le jour même.

Rien n’est officiel. Ni Samsung, ni TSMC, ni Nvidia ne s’expriment dans l’article du quotidien, et aucune des trois n’a confirmé l’information. Ni calendrier ni produit Nvidia ne sont précisés.

Une mémoire en étages

La HBM, pour « high bandwidth memory », est la mémoire ultrarapide montée au plus près des puces d’IA. Elle se construit comme un immeuble : plusieurs couches de DRAM, les « core dies », empilées sur une puce logique, la « base die », qui fait circuler les données entre la mémoire et le processeur.

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Fin août, Nvidia a présenté NVHBM, sa version maison, qui loge son propre contrôleur mémoire dans la base die plutôt que sur la puce de calcul. Par rapport à la HBM4E standard, le groupe annonce jusqu’à 30 % de bande passante en plus, 15 % de consommation en moins et 25 % de surface libérée sur la puce de calcul, selon son blog officiel du 26 août 2026. Des chiffres de Nvidia, sans mesure indépendante à ce jour.

Une pièce, trois fournisseurs

Nvidia promettait alors une version standard de NVHBM, proposée par plusieurs fabricants de mémoire, sans les nommer. Le Seoul Economic Daily raconte la suite : Nvidia aurait demandé à ses trois fournisseurs, Samsung, SK Hynix et Micron, de graver la base die chez TSMC en 3 nm, et d’utiliser pour les couches de DRAM un même procédé de sixième génération, baptisé 1c. La raison, selon le journal : des méthodes de fabrication différentes nuisent à une performance homogène et obligent à tout revalider chez chacun.

Notre lecture — Nvidia n’achète plus seulement de la mémoire : il en écrit le cahier des charges, jusqu’au choix de l’usine. En imposant TSMC, il transforme trois concurrents en exécutants d’un même plan. Pour Samsung, dire oui, c’est rester dans la course. Dire non, c’est laisser la place à SK Hynix et Micron.

Deux rivaux, une même puce

C’est là que l’affaire devient inédite. Samsung possède aussi une fonderie, qui fabrique des puces pour d’autres et affronte TSMC sur ce terrain. Jusqu’ici, il produisait les deux étages de ses HBM en interne, en « clé en main ». Sa HBM4, en production de masse depuis février 2026, repose sur une base die gravée en 4 nm dans ses propres usines, indiquait le groupe à l’époque.

Selon le quotidien sud-coréen, les deux groupes n’avaient coopéré qu’une fois, il y a environ quatre ans, sur l’assemblage entre HBM et processeurs graphiques. Ce serait leur premier travail commun dès l’étape de fabrication de la mémoire, souligne le journal.

Ce que Samsung garde

Le virage resterait limité. D’après le Seoul Economic Daily, Samsung conserverait son modèle intégré pour la HBM standard et pour les mémoires sur mesure de ses autres clients, dont AMD. Les couches de DRAM resteraient produites dans ses usines coréennes. Et le groupe vérifierait s’il peut aussi fabriquer la base die NVHBM dans sa propre fonderie, au cas où la demande dépasserait les capacités de TSMC, selon une source du secteur citée par le journal.

La course à la mémoire

L’enjeu se lit dans les parts de marché. Au deuxième trimestre 2026, SK Hynix détenait 50 % du chiffre d’affaires mondial de la HBM, Samsung 33 % et Micron 18 %, selon Counterpoint Research (3 septembre 2026). Un an plus tôt, SK Hynix pesait 64 % et Samsung 15 %.

SK Hynix garde une longueur d’avance auprès de Nvidia. Le 7 juin 2026, les deux groupes ont annoncé un partenariat technologique pluriannuel pour codévelopper la mémoire des supercalculateurs Vera Rubin, des processeurs Vera, des PC RTX Spark et des robots Jetson Thor. Aucun montant n’a été publié.

Samsung, lui, encaisse déjà. Le 8 octobre, il a annoncé un bénéfice d’exploitation estimé à environ 107 400 milliards de wons pour le troisième trimestre 2026, contre 12 170 milliards un an plus tôt, pour un chiffre d’affaires d’environ 195 000 milliards de wons. Sans détailler la part de la mémoire.

Et nos machines ?

Ce montage ne vise que les centres de données. Mais la ruée sur la mémoire déborde. Pour le quatrième trimestre 2026, le cabinet TrendForce prévoit une hausse de 10 à 15 % des prix contractuels de la DRAM classique, et de 15 à 20 % pour la mémoire flash NAND, sur un trimestre. Les fabricants réservent leurs procédés les plus avancés aux serveurs, écrit-il le 30 septembre.

Les effets se voient déjà : des portables qui intègrent des composants plus chers, des SSD réduits sur les PC grand public, une production de smartphones freinée par les coûts, une mémoire graphique GDDR7 limitée. Sur les consoles, TrendForce ne dit rien. La question reste ouverte.

Prochaine étape : une confirmation, ou un démenti, de Samsung, de TSMC ou de Nvidia.

Sources

  1. Seoul Economic Daily — « Samsung to Tap TSMC for Nvidia’s Custom HBM Base Die », Lee Suk-jin, 18 octobre 2026 (édition anglaise)
  2. NVIDIA Blog — « NVIDIA NVLink Fusion Expands With NVHBM Custom High-Bandwidth Memory », 26 août 2026
  3. NVIDIA Newsroom — « NVIDIA and SK hynix Announce Multiyear Technology Partnership to Advance Memory for AI Factories », 7 juin 2026
  4. Samsung Newsroom — « Samsung Ships Industry-First Commercial HBM4 », 12 février 2026
  5. Samsung Newsroom — « Samsung Electronics Announces Earnings Guidance for Third Quarter 2026 », 8 octobre 2026
  6. Counterpoint Research — « Global HBM Market Share Q2 2026 », 3 septembre 2026
  7. TrendForce — « AI Server Demand Sustains Memory Contract Price Increases in 4Q26, While Consumer-Side Pressure Persists », 30 septembre 2026